Análise comparativa de modelos de diodos semicondutores em circuitos retificadores: um estudo por simulação

Abstract

Os diodos semicondutores são componentes fundamentais na eletrônica, sendo amplamente utilizados em aplicações como retificação, reguladores de tensão, proteção e chaveamento. Este trabalho tem como objetivo analisar comparativamente o comportamento de diferentes tecnologias de diodos — junção PN, Schottky e ultrafast — aplicados em circuitos retificadores de onda completa. A análise foi realizada por meio de simulações no software LTSpice, considerando parâmetros como ripple na tensão de saída, distorção harmônica total (THD) e influência da temperatura no desempenho dos dispositivos. Os resultados obtidos permitem compreender as diferenças entre as tenologias dependendo da situação imposta, contribuindo para uma escolha mais adequada do diodo em função das características exigidas pela aplicação, considerando critérios como eficiência, estabilidade térmica e desempenho.

Semiconductor diodes are essential components in electronics, widely used in applications such as rectification, voltage regulation, protection, and switching. This work aims to perform a comparative analysis of different diode technologies — PN junction, Schottky and ultrafast — applied to full-wave rectifier circuits. The analysis was conducted through simulations using the LTSpice software, considering parameters such as output voltage ripple, total harmonic distortion (THD), and the influence of temperature on device performance. The results obtained provide a comprehensive understanding the differences between technologies depending on the situation imposed, supporting a more appropriate selection based on the specific requirements of each application, taking into account factors such as efficiency, thermal stability, and performance.