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Abstract:
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Carbeto de silício é um material cerâmico semicondutor com propriedades bastante promissoras para sua utilização como eletrodo em estudos eletroquímicos. No entanto, o mesmo não foi muito estudado com esta finalidade, até o presente momento. A caracterização da superfície dos eletrodos de SiC foi realizada utilizando a técnica MEV-EDX, a partir da qual foi possível concluir que a superfície dos eletrodos não é homogênea, uma vez que verificou-se a presença de irregularidades e também de impurezas. Após essas análises, realizaram-se testes de resposta voltamétrica dos eletrodos de SiC em diferentes meios. Constatou-se através desses experimentos que todos os eletrodos analisados não forneceram os resultados esperados, o que pode ser atribuído a heterogeneidade da superfície dos mesmos, a qual pode ser oriunda da maneira como foram preparados que ainda não está eficiente. Por fim, realizaram-se nas mesmas condições dos experimentos voltamétricos, análises de EIE, as quais forneceram informações importantes a respeito dos eletrodos. Foi possível verificar que o eletrodo SiC 1 e principalmente os eletrodos SiC 2 e SiC 3 apresentaram elevados valores de Rtc, os quais provavelmente resultam da heterogeneidade e irregularidade da superfície dos mesmos, assim como nos experimentos de VC. Em contrapartida, pode-se concluir que o modo como foram preparados os eletrodos SiC 4 e SiC 5 foi mais eficiente, uma vez que esses eletrodos apresentaram menor resistência à transferência de carga e maior condutividade. No entanto, esses eletrodos ainda estão sendo avaliados mais detalhadamente. Os resultados obtidos por MEV, VC e EIE estão de pleno acordo entre si. |
